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STD65N55F3 |
TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 | STMicroelectronics | 16004 | 鐢佃瘽锛�0755-83217923 询价QQ: ![]() |
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STD65N55F3参数 产品类别:分立半导体产品-FET - 单 说明:MOSFET N-CH 55V 80A DPAK 包装数量:1 包装形式: PDF资料下载: ![]() FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压 (Vdss):55V 电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):80A 不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):8.5 毫欧 @ 32A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):45nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2200pF @ 25V 功率 - 最大值:110W 安装类型:表面贴装 |
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热门型号: FET - 单FQI6N15TU 钽电容器TAP106K050HSB 芯片电阻 - 表面TNPW1210348KBEEN Linear - AD8531AKSZ-R2 接口 - 驱动器,MAX3480EBCPI 矩形- 接头,插座SSM-103-S-DH 通孔电阻器TFH85P1K50JE 评估板 - 运算放AD8012AR-EBZ 配件3F88L-RS17 DC DC ConPTH12060YAZ |