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STD65N55F3

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 STMicroelectronics 16004 鐢佃瘽锛�0755-83217923
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STD65N55F3参数
产品类别:分立半导体产品-FET - 单
说明:MOSFET N-CH 55V 80A DPAK
包装数量:1
包装形式:
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FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):55V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):80A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):8.5 毫欧 @ 32A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):45nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2200pF @ 25V
功率 - 最大值:110W
安装类型:表面贴装

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